BAW56WT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BAW56WT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	1 588	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BAW56WT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 150mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	2.5µA @ 70V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	200mA (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	70V
Reverse Recovery Time (trr)	6ns
Diode Type	Standard
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Diode Configuration	1 Pair Common Anode
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1A028
1A028		ALEXIA
1A028		SAN KUNG
BT139-600E	Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	NXP
BT139-600E	Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	PHILIPS	80	85.11
BT139-600E	Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA		1 513	24.81
BT139-600E	Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	PHILIPS
BT139-600E	Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	КИТАЙ
BT139-600E	Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	PHILIPS SEMIC
BT139-600E	Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	WEEN	926	43.92
BT139-600E	Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	1
LG450M0470BPF-3545	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 450 В	YAGEO
LG450M0470BPF-3545	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 450 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
LG450M0470BPF-3545	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 450 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
LG450M0470BPF-3545	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 450 В
КТ3117А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...		48	297.60
КТ3117А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	МИНСК
КТ3117А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	ДАЛЕКС
КТ3117А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	RUS
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ДНЕПР	2 788	186.00
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.		80	234.36
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ХЕРСОН
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 1
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	RUS
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	СЗТП	40	530.94
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 2
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	РОССИЯ
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САПФИР
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ПО "ДНЕПР"	227	299.63
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	20

BAW56WT1G

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают: