Версия для печати
Технические характеристики V250LA40AP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	LA
Varistor Voltage	429V
Current-Surge	6.5kA
Число каналов	1
Maximum AC Volts	250VAC
Maximum DC Volts	330VDC
Energy	130J
Корпус (размер)	Disc 20mm

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Устройства защиты

 » 

TVS

 » 

Варисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BL01RN1A2A2B		Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
		BL01RN1A2A2B		Индуктивность для подавления ВЧ-помех.			16.60
		BL01RN1A2A2B		Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
		BL01RN1A2A2B		Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MUR
		BL01RN1A2A2B		Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	Murata Electronics North America
		DIP8-S		Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTON
		DIP8-S		Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм			6.00
		DIP8-S		Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTRON
		DIP8-S		Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	HSUAN MAO
		L7824ABD2T-TR			ST MICROELECTRONICS
		L7824ABD2T-TR			STMicroelectronics
		L7824ABD2T-TR			КИТАЙ
		L7824ABD2T-TR				895	38.72
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		428	25.38
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	800	35.70
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	2 863	32.00
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КЭВ-10-1 ГОМ-5%

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"