MMBT5087
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100µA, 5V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 40MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SA1294 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz | SANKEN |
|
|
|
|
|
|
2SA1294 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz | SK |
|
|
|
|
|
|
2SA1294 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz |
|
316.44 | ||
|
|
|
2SA1294 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz | ТАИЛАНД |
|
|
|
|
|
|
2SA1294 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz | NTM |
|
|
|
|
|
|
2SA1294 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz | NXP |
|
|
|
|
|
|
2SA1294 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz | ISCSEMI |
|
|
|
| 2SC3263-Y | SK |
|
|
|||||
| 2SC3263-Y |
|
|
||||||
 |
|
BSP170PE6327T |
|
Infineon Technologies |
|
|
||
| BZT52C16-7 | DIODES |
|
|
|||||
| BZT52C16-7 | DIODES INC. | 1 064 |
|
|||||
| BZT52C16-7 | Diodes Inc |
|
|
|||||
 |
|
XTR111AIDGQR |
|
Texas Instruments | 54 | 405.18 | ||
|
|
|
XTR111AIDGQR |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
XTR111AIDGQR |
|
1 072 | 57.92 |
