HUF76609D3ST


Купить HUF76609D3ST ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HUF76609D3ST
Версия для печати

Технические характеристики HUF76609D3ST

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияUltraFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs160 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C10A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds425pF @ 25V
Power - Max49W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход