FQU12N20TU


Купить FQU12N20TU ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQU12N20TU MOSFET N-CH 200V 9A IPAK MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Версия для печати

Технические характеристики FQU12N20TU

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationLead Dimension Change 23/Jan/2007
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs280 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds910pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
КорпусI-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQU12N20TU datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход