FQD10N20CTM


Купить FQD10N20CTM ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQD10N20CTM MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики FQD10N20CTM

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationLead Dimension Change 23/Jan/2007
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs360 mOhm @ 3.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7.8A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
Power - Max50W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQD10N20CTM datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход