FDS2670


200v n-channel powertrench mosfet

Купить FDS2670 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDS2670
Версия для печати

Технические характеристики FDS2670

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs130 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1228pF @ 100V
Power - Max1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
КорпусSO-8
Product Change NotificationCu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDS2670 (MOSFET)

200V N-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDS2670 datasheet
59.9 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход