FDD8778


N-channel powertrench mosfet

Купить FDD8778 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDD8778
Версия для печати

Технические характеристики FDD8778

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 35A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C35A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds845pF @ 13V
Power - Max39W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDD8778 (MOSFET)

N-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDD8778 datasheet
358.3 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход