FDB3502


75v n-channel power trench mosfet

Купить FDB3502 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDB3502
Версия для печати

Технические характеристики FDB3502

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияPowerTrench®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs47 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds815pF @ 40V
Power - Max3.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусTO-263AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDB3502 (MOSFET)

75V N-Channel Power Trench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDB3502 datasheet
354.3 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход