FDB024N06


N-channel powertrench mosfet

Купить FDB024N06 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDB024N06
Версия для печати

Технические характеристики FDB024N06

FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияPowerTrench®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C120A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs226nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds14885pF @ 25V
Power - Max395W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDB024N06 (MOSFET)

N-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDB024N06 datasheet
614.5 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход