1N914BWT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
1N914BWT (FAIRCHILD.)	2 337	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики 1N914BWT

Current - Average Rectified (Io)	200mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	75V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 100mA
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 75V
Diode Type	Standard
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)	4ns
Capacitance @ Vr, F	4pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-79, SOD-523F
Корпус	SOD-523F

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В	VISHAY	88	21.70
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В	SPRAGUE
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В			30.80
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В	SPRAGUE
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В	VISHAY
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В	Vishay/Sprague
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В	VISНAY
AD7450ARMZ		ANALOG DEVICES
AD7450ARMZ
AD7450ARMZ		4-7 НЕДЕЛЬ
BC846ALT1G		ON SEMICONDUCTOR
BC846ALT1G		ONS	10 744	4.15
BC846ALT1G		ON SEMICONDUCTOR
BC846ALT1G		ON SEMICONDUCTO
BC846ALT1G
BSS123A	N-channel enhancement mode vertical dmos fet	DIODES
RT9013-33GB		Richtek USA Inc
RT9013-33GB
RT9013-33GB		4-7 НЕДЕЛЬ
RT9013-33GB		TECH PUB