|
Корпус | 16-SO |
Корпус (размер) | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Напряжение питания | 4.5 V ~ 15.5 V |
Функция | Serial to Parallel |
Число битов на элемент | 4 |
Число элементов | 2 |
Тип выхода | Standard |
Логический тип | Shift Register |
Серия | 4000B |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
HEF4015B (Сдвиговые регистры) Dual 4-bit static shift register Также в этом файле: HEF4015BT
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LM2931CDR2 SO-8 | ONS | |||||||
LM2931CDR2 SO-8 | ||||||||
LM2931CDR2G | Стабилизатор напряжения c регулируемым выходом, 100mA | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
LM2931CDR2G | Стабилизатор напряжения c регулируемым выходом, 100mA | NATIONAL SEMICONDUCTOR | ||||||
LM2931CDR2G | Стабилизатор напряжения c регулируемым выходом, 100mA | ONS | ||||||
LM2931CDR2G | Стабилизатор напряжения c регулируемым выходом, 100mA | 46.72 | ||||||
LM2931CDR2G | Стабилизатор напряжения c регулируемым выходом, 100mA | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
LT455HW | 328 | 49.28 | ||||||
LT455HW | 328 | 49.28 | ||||||
КТ 645 А | RUS | |||||||
КТ646Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 49 | 19.20 | |||||
КТ646Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 283 | 38.25 | ||||
КТ646Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК | ||||||
КТ646Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | RUS | ||||||
КТ646Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|