DG141V-2.54-04P-14-00AH

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DG142R-5.08-03P (FB142R)		DEGSON ELECTRONICS
TDA2030L-TB5-T		UTC	8 079	24.80
TDA2030L-TB5-T			258	63.00
TDA2030L-TB5-T		1
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...		1	44.64
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	МИКРО-М
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	ТОНДИ	1 600	63.24
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	RUS
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	МИКРОМ
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	ТЭЗ
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	38
КР597СА2 (87-92Г)
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		425	9.20
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	5 925	14.88
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 400	49.59
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000