IRLML5203


P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)

Купить IRLML5203 по цене 2.10 руб.  (без НДС 20%)
IRLML5203 Структура: P-FET Макс. рабочее напряжение: 30...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRLML5203 320 2.10 
IRLML5203 (HOTTECH) 40 568 3.39 
IRLML5203 (HUASHUO) 20 804 2.37 
IRLML5203 (YOUTAI) 26 520 4.08 
IRLML5203 (UMW) 12 800 3.10 
IRLML5203 (KUU) 3 838 2.50 
IRLML5203 (PLINGSEMIC) 11 368 2.23 
IRLML5203 (KEEN SIDE) 484 2.57 
IRLML5203TR (INFINEON) 1 23.17 
IRLML5203TR (TRR) 666 9.05 
IRLML5203TR (VBSEMI) 19 10.09 
IRLML5203TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 136 3-4 недели
Цена по запросу
IRLML5203TRPBF (INFINEON) 31 333 23.00 
IRLML5203TRPBF 6 751 9.90 
IRLML5203TRPBF (HOTTECH) 4 800 2.44 
IRLML5203TRPBF (KLS) 388 5.90 
IRLML5203TRPBF (TRR) 7 200 6.20 
IRLML5203TRPBF (TECH PUB) 120 7.05 

Структура: P-FET
Макс. рабочее напряжение: 30 В
Корпус: SOT-23-3
Максимальный ток: 3 А
Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
Версия для печати

Технические характеристики IRLML5203

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs98 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
Power - Max1.25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусMicro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLML5203

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLML5203 datasheet
139.62Kb
10стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   MCC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )     1 788 1.11 
>500 шт.   0.37 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   NXP 16 000 цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   PHILIPS 28 085 цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   NEXPERIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   SUNTAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   WUXI XUYANG 6 299 1.54 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   SEMTECH 78 2.03 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   HOTTECH 4 1.73 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   PLINGSEMIC 28 776 1.76 
>100 шт.   0.88 
    BZV55-B4V7 Стабилитрон PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt=5mA tol=2%   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BZV55-B4V7 Стабилитрон PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt=5mA tol=2%   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BZV55-B4V7 Стабилитрон PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt=5mA tol=2%   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BZV55-B4V7 Стабилитрон PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt=5mA tol=2%   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BZV55-B4V7 Стабилитрон PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt=5mA tol=2%   LGE Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BZV55-B4V7 Стабилитрон PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt=5mA tol=2%   KEEN SIDE 1 442 1.76 
>100 шт.   0.88 
    M24512-RMN6P     ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    M24512-RMN6P       Заказ радиодеталей 180.00 
    M24512-RMN6P     STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
    M24512-RMN6P     ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    M24512-RMN6P     STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    M24512-RMN6P     4-7 НЕДЕЛЬ Заказ радиодеталей цена радиодетали
  NJM78L03UA-TE1     MATSUSHITA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  NJM78L03UA-TE1     JRC 4 250 30.61 
  NJM78L03UA-TE1       Заказ радиодеталей 42.00 
  NJM78L03UA-TE1     NJR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  NJM78L03UA-TE1     4-7 НЕДЕЛЬ Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LTL Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LITTELFUSE Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)     Заказ радиодеталей 140.00 
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LITTELFUSE 1 цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   Littelfuse Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   TECH PUB 4 112 11.19 
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   MSKSEMI 3 898 6.29 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход