|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
14 018
|
2.33
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
95 824
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
46 105
|
1.51
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.67
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
251 110
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
883
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
2 400
|
1.01
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
192 112
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
1
|
1.83
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
60 512
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
72 000
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
5 707
|
21.00
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
15 852
|
30.00
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС210Ж |
|
стекло
|
|
2 384
|
9.18
|
|
|
|
КС210Ж |
|
стекло
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
КС210Ж |
|
стекло
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС210Ж |
|
стекло
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
КС210Ж |
|
стекло
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КС210Ж |
|
стекло
|
СЗТП
|
80
|
71.40
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
12.24
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
|
1 668
|
7.20
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
БРЯНСК
|
2 919
|
8.00
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
МИНСК
|
1 484
|
8.00
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
РИГА
|
132
|
8.00
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|