Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 5mA, 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 10V |
Power - Max | 625mW |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Корпус | TO-92-3 |
Product Change Notification | Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LIT
|
22 974
|
14.55
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
COSMO
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON
|
3 581
|
44.28
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
71
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
3 424
|
24.00
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FC
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LTV
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
|
631
|
42.24
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLLIGHT
|
1 600
|
45.26
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EL
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
YOUTAI
|
8 808
|
14.41
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVL
|
4 195
|
13.39
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOSHIBA
|
1
|
19.12
|
|
|
|
AD820BRZ |
|
Операционный усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...
|
ANALOG DEVICES
|
752
|
600.24
|
|
|
|
AD820BRZ |
|
Операционный усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD820BRZ |
|
Операционный усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD820BRZ |
|
Операционный усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...
|
|
|
|
|
|
|
AD820BRZ |
|
Операционный усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...
|
США
|
|
|
|
|
|
AD820BRZ |
|
Операционный усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
|
|
432.80
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
LT1083CP |
|
ИМС Источник питания 30/12-29ВTO-3Р
|
LT
|
|
|
|
|
|
LT1083CP |
|
ИМС Источник питания 30/12-29ВTO-3Р
|
LTC
|
|
|
|
|
|
LT1083CP |
|
ИМС Источник питания 30/12-29ВTO-3Р
|
LINEAR TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
LT1083CP |
|
ИМС Источник питания 30/12-29ВTO-3Р
|
|
|
2 780.00
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
|
5
|
187.20
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
19
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
MOSPEC
|
|
|
|
|
|
TIP147 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 10A, 125W (Comp. TIP142)
|
1
|
|
|
|