FDV302P
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 11pF @ 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDV302P (Мощные полевые МОП транзисторы) Digital FET, P-Channel
Производитель:
|
