FQB55N10TM


Купить FQB55N10TM ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQB55N10TM MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики FQB55N10TM

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 27.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C55A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs98nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2730pF @ 25V
Power - Max3.75W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQB55N10TM datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход