|
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 4.5A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | PowerTrench® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 15A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 759pF @ 30V |
Power - Max | 1.6W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | TO-252 |
FDD5614P (P-канальные транзисторные модули) 60V P-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
|