BT152-800R.127

Тиристор 20A 800V

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BT152-800R.127 (WEEN/NXP)	630	90.13

Версия для печати

Технические характеристики BT152-800R.127

Производитель	NXP
Количество в упаковке	50 шт.
Вес	2.746 г
Bag Type	800 В
Bale Length	13 А
Bandwidth	1.75 В
Base Size	32 мА
Base Type	1 мА
Время включения	2 мкс
Barrel Depth	70 мкс
Barrier Type	NXP
Корпус (размер)	TO-220AB
Рабочая температура	-40...125 °C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C27		DC COMPONENTS	14 582	2.22
BZV55-C27		NXP
BZV55-C27		PHILIPS
BZV55-C27		NXP
BZV55-C27		PHILIPS
BZV55-C27
BZV55-C27		PHI	2 485	1.89
BZV55-C36.115		NXP
BZV55-C36.115		NEX-NXP	29 928	3.63
BZV55-C36.115
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JAMICON
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С			28.80
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JAM
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JB
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W		2	604.80
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER	168
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	ТАИЛАНД
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INFINEON
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	1
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTOR
MJE13009G	Транзистор биполярный	ONS
MJE13009G	Транзистор биполярный			129.20
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTO