IRF7488

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7488		63.32

Версия для печати

Технические характеристики IRF7488

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 3.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1680pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7488 (Дискретные сигналы)

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF7488 datasheet
141.9Kb
9стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3179	Биполярный транзистор	SANKEN
2SC3179	Биполярный транзистор	SK
2SC3179	Биполярный транзистор			45.24
2SC3179	Биполярный транзистор	NTM
2SC3179	Биполярный транзистор	NO TRADEMARK
2SC3179	Биполярный транзистор	ISCSEMI
2РТТ28КПН4Г10В			16	5 280.00
2РТТ28КПН4Г10В		ЭЛЕКОН
AM8T-2412SZ	DC/DC преобразователь мощностью 8 Вт, Вход 18-36В, Выход 12В 665мА, изоляция 1,5кВ	AIMTEC
AM8T-2412SZ	DC/DC преобразователь мощностью 8 Вт, Вход 18-36В, Выход 12В 665мА, изоляция 1,5кВ			2 920.00
ESQ-120-14-G-D		SAMTEC
ESQ-120-14-G-D				917.20
ESQ-120-14-G-D		Samtec Inc
LM2675M-5.0/NOPB	SO8	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2675M-5.0/NOPB	SO8	NSC
LM2675M-5.0/NOPB	SO8	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2675M-5.0/NOPB	SO8
LM2675M-5.0/NOPB	SO8	TEXAS
LM2675M-5.0/NOPB	SO8	TEXAS INSTRUMEN
LM2675M-5.0/NOPB	SO8	TEXAS INSTRUMENTS