| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
|
20 040
|
1.27
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY
|
10
|
8.08
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PANJIT
|
2 118
|
1.13
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KLS
|
25 200
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ASEMI
|
1 344
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
2648
|
|
|
|
|
|
|
КТ626В |
|
|
|
1
|
15.12
|
|
|
|
|
КТ626В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
24.99
|
|
|
|
|
КТ626В |
|
|
ТОМСК
|
224
|
14.88
|
|
|
|
|
КТ626В |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ837Н |
|
|
|
1
|
20.46
|
|
|
|
КТ837Н |
|
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ837Н |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ837Н |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ837Н |
|
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
|
2 580
|
27.90
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
26.55
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
БРЯНСК
|
71
|
18.60
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
ПРОКЛАДКА 1К35Х50 КПТД-2/1-0.2 |
|
|
НОМАКОН
|
|
|
|