КТ972А (200Г)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1МКФ100В(5X11,НЕПОЛЯРН.)
1МКФ100В(5X11,НЕПОЛЯРН.)		JAMICON	800	12.24
220МКФ50В(10X13)105°C
220МКФ50В(10X13)105°C		JAMICON
LQH32MN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210)		1	86.40
LQH32MN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210)	MURATA	1 071	17.66
LQH32MN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210)	MUR	10 462	9.89
SN74LVC4245ADW		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC4245ADW			12	60.00
SN74LVC4245ADW		TEXAS
SN74LVC4245ADW		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC4245ADW		TEXAS INSTRUMEN
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		589	25.38
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	800	35.70
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	2 863	32.00
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР