470МКФ6.3В(8X11)105°C

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...		2 312	40.80
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	ФОТОН	880	118.08
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВ
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕСАНДРОВ
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	RUS
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		694	19.25
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ
СПО-0,5-22 КОМ-20%
СПО-0,5-3,3 КОМ-20%			8	8.80
СПО-1-47 КОМ-20%