STP8NK100Z


N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet

Купить STP8NK100Z по цене 557.60 руб.  (без НДС 20%)
STP8NK100Z
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
STP8NK100Z цена радиодетали 557.60 

Версия для печати

Технические характеристики STP8NK100Z

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияSuperMESH™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.85 Ohm @ 3.15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6.5A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs102nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2180pF @ 25V
Power - Max160W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP8NK100Z (MOSFET)

N-CHANNEL 1000V - 1.60? - 6.5A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP8NK100Z datasheet
294.7 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    1N5361BG     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N5361BG     ON Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N5361BG     ON SEMICONDUCTOR 50 цена радиодетали
    1N5361BG       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N5361BG     ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF9530 Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF9530 Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF9530 Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт     Заказ радиодеталей 61.44 
IRF9530 Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF9530 Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF9530 Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт   INTERNATIONAL RECTIFIER 32 цена радиодетали
LM317LZ TO92 Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM317LZ TO92 Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM317LZ TO92 Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM317LZ TO92 Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V   NS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM317LZ TO92 Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V     Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM555CN ИМС Таймер NMOS   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM555CN ИМС Таймер NMOS   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM555CN ИМС Таймер NMOS     Заказ радиодеталей 34.00 
LM555CN ИМС Таймер NMOS   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM555CN ИМС Таймер NMOS   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM555CN ИМС Таймер NMOS   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM555CN ИМС Таймер NMOS   NS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM555CN ИМС Таймер NMOS   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM555CN ИМС Таймер NMOS   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM555CN ИМС Таймер NMOS   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS 400 43.35 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА     32 14.76 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS SEMI 7 цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   HGSEMI 2 910 12.51 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход