BC337-040G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC337-040G (ONS)	1 280	7.87

TRANS NPN GP 45V 800MA TO-92

Версия для печати

Технические характеристики BC337-040G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 100mA, 1V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	210MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC337-040G datasheet

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	42 633	2.50
BC847.215		NXP
BC847.215		NEX-NXP
BC847.215
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	DC COMPONENTS	6 280	12.10
DB107	Диодный мост 1A, 1000V		9 671	3.65
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	MIC	4 250	7.05
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	GALAXY
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	Micro Commercial Co
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	КИТАЙ	8	30.60
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	YJ	75 704	7.27
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	14	11.26
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	KINGTRON
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	---
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	KINGTRONICS
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	GALAXY ME
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	KLS	2 914	7.00
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	SUNTAN
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	YANGJIE	31 600	5.27
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	YANGJIE (YJ)
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	HOTTECH	27 054	3.82
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	WUXI XUYANG	38	9.97
DB107	Диодный мост 1A, 1000V	0.00
ИВ-11			2	264.00
ИВ-11		САРАТОВ
ИВ-11		1
КС175А	Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА		652	20.65
КС175А	Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА	П/П 2
КС175А	Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА	RUS
КС175А	Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА	СЗТП	80	51.00
КС175А	Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА	САРАНСК	580	16.00
КС175А	Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КС175А	Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА	РОССИЯ

BC337-040G

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают: