| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
32.01
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
821
|
27.33
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
|
99
|
11.16
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
IDCHIP
|
13 291
|
5.63
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-9.1K 5% |
|
ЧИП — резистор
|
|
451
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
|
1000МКФ 25 (13X21)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
|
31 336
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
UTC
|
11 310
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIOTEC
|
592
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIRCHILD
|
9 780
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
NXP
|
7 462
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
PHILIPS
|
9 897
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KINGWELL TECHINOLOGY CORP LTD
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
RECTRON
|
52
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
INFINEON
|
17
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
HOTTECH
|
24 781
|
1.25
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
YJ
|
452 624
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
JSCJ
|
17 057
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KEEN SIDE
|
8 173
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
YANGJIE
|
6 544
|
0.84
>500 шт. 0.28
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
7234
|
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-07300RL |
|
|
YAGEO
|
7 800
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
|
RC0805JR-07300RL |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-07300RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C
|
|
|
399.24
|
|
|
|
|
TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|