TL431BIDBZR,215


Купить TL431BIDBZR,215 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
TL431BIDBZR,215 IC SHUNT REG ADJ 0.5% SOT23-3 IC SHUNT REG ADJ 0.5% SOT23-3
Версия для печати

Технические характеристики TL431BIDBZR,215

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Reference TypeShunt, Adjustable, Precision
Напряжение выходное2.495 V ~ 36 V
Допустимые отклонения емкости±0.5%
Tolerance±0.5%
Количество каналов1
Ток катод1mA
Ток выходной100mA
Рабочая температура-40°C ~ 85°C
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусTO-236AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


TL431BIDBZR,215 datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    HC-SR501 INFRARED PIR MOTION SENSOR MODULE     HKSHAN 206 183.59 
IRF3205STRR Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF3205STRR Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF3205STRR Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LM317T-DG     STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LM317T-DG     ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LM317T-DG       16 64.80 
    LM317T-DG     1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS 400 43.35 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА     32 14.76 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS SEMI 7 цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   HGSEMI 2 178 14.28 
STP4NK60Z N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP4NK60Z N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot     4 105.60 
STP4NK60Z N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP4NK60Z N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP4NK60Z N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход