|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ECAP 100/400V 2225 105C HU5 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 400 В
|
HIT-AIC
|
|
|
|
|
|
HUF75332P3 |
|
N-channel ultrafet power mosfets
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HUF75332P3 |
|
N-channel ultrafet power mosfets
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HUF75332P3 |
|
N-channel ultrafet power mosfets
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HUF75332P3 |
|
N-channel ultrafet power mosfets
|
|
4
|
97.35
|
|
|
|
HUF75332P3 |
|
N-channel ultrafet power mosfets
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HUF75332P3 |
|
N-channel ultrafet power mosfets
|
ONS
|
|
|
|
|
|
OB2269AP |
|
|
ON-BRIGHT
|
|
|
|
|
|
OB2269AP |
|
|
|
|
|
|
|
|
OB2269AP |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARP
|
9 440
|
25.58
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
|
32
|
14.40
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVL
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARPLCD
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
MICRONE
|
1 434
|
6.57
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
CHE
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
YOUTAI
|
129 700
|
3.25
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SLKOR
|
10 444
|
3.46
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
|
2
|
190.80
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
|
2
|
190.80
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|