LQW15AN47NJ00D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LQW15AN47NJ00D (MUR)	87 008	2.24

INDUCTOR 47NH 210MA 0402

Версия для печати

Технические характеристики LQW15AN47NJ00D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	LQW15A_00
Inductance	47nH
Current	210mA
Тип	Air Core
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
DC Resistance (DCR)	1.08 Ohm Max
Q @ Freq	25 @ 200MHz
Self Resonant Freq	2.9GHz
Корпус (размер)	0402 (1005 Metric)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Frequency - Test	100MHz
Material - Core	Air
Сфера применения	High Frequency

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

LQW15AN47NJ00D datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	NEC
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт			62.64
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISC	81	22.35
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	КИТАЙ
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISCSEMI
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ICS COMPONENTS	152	27.53
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	TECH PUB	1 116	4.31
ABLS2-25.000MHZ-D4YF-T		Abracon Corporation
ABLS2-25.000MHZ-D4YF-T		ABRACON	36	32.14
ABLS2-25.000MHZ-D4YF-T
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	FAI/QTC
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	ON SEMICONDUCTOR
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	ONS	312	21.70
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A		5 520	8.08
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	ON SEMICONDUCTOR	12 084
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	ON SEMICONDUCTO
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	ONS-FAIR
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	ONSEMICONDUCTOR
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	FUXIN	22 199	1.03
TLP290(GB-TP,SE(T)		TOSHIBA
TLP290-4(GB-TP,E(T		TOSHIBA