|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
|
63 032
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
HOTTECH
|
87
|
1.08
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
SEMTECH
|
30
|
1.20
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
|
3
|
14.80
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
OPA2350UA |
|
ИМС 2xОперационный усилитель SingS 38МГц 22В/мкс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OPA2350UA |
|
ИМС 2xОперационный усилитель SingS 38МГц 22В/мкс
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
OPA2350UA |
|
ИМС 2xОперационный усилитель SingS 38МГц 22В/мкс
|
|
|
329.76
|
|
|
|
OPA2350UA |
|
ИМС 2xОперационный усилитель SingS 38МГц 22В/мкс
|
BURR-BROWN
|
5
|
|
|
|
|
OPA2350UA |
|
ИМС 2xОперационный усилитель SingS 38МГц 22В/мкс
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
OPA2350UA |
|
ИМС 2xОперационный усилитель SingS 38МГц 22В/мкс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OPA2350UA |
|
ИМС 2xОперационный усилитель SingS 38МГц 22В/мкс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|