|
Корпус | 8-SO |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
Ток выходной | 100mA |
Ток катод | 1µA |
Количество каналов | 1 |
Допустимые отклонения емкости | ±1% |
Напряжение выходное | 2.495 V ~ 36 V |
Reference Type | Shunt, Programmable, Precision |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Tolerance | ±1% |
TL431 PROGRAMMABLE VOLTAGE REFERENCE Также в этом файле: TL431ACDT
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002-7-F | DIODES | |||||||
2N7002-7-F | DI | |||||||
2N7002-7-F | DIODES INC. | 5 221 | ||||||
2N7002-7-F | Diodes Inc | |||||||
2N7002-7-F | 20 | 5.67 | ||||||
2N7002-7-F | VBSEMI | 6 824 | 4.15 | |||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | 43 257 |
1.32 >100 шт. 0.66 |
|||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | NXP | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | LGE | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | КИТАЙ | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | EIC | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | HOTTECH | 128 | 1.97 | ||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | SEMTECH | 221 | 1.32 | ||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | KLS | 127 | 1.37 | ||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | YANGJIE (YJ) | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | 1 | ||||||
LM358ADRG4 | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | TEXAS INSTRUMENTS | ||||||
LM358ADRG4 | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | |||||||
LM358ADRG4 | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | TEXAS INSTRUMENTS | ||||||
LM358ADRG4 | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | TEXAS | ||||||
MAX1980ETP | MAXIM | |||||||
MAX1980ETP | 740.00 | |||||||
MAX1980ETP | MAXIM | |||||||
КР1801РЕ2Б-107 | 144.00 |
|