NAND512R3A2DZA6E
|
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | FLASH - NAND |
| Объем памяти | 512M (64M x 8) |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 63-VFBGA |
| Корпус | 63-VFBGA (9x11) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| K4B1G1646G-BCH9 | SAMSUNG | 67 |
|
|||||
| K4B1G1646G-BCH9 |
|
|
||||||
| MLF1608A2R7K | TDK |
|
|
|||||
| MLF1608A2R7K |
|
28.72 | ||||||
| MLF1608A2R7K | TDK Corporation |
|
|
|||||
| MLF1608A2R7K | TDK EPCOS | 1 | 9.84 | |||||
| RC0402FR-078K2L |
|
Резистор 1/16W 1% 0402 8.2 kОм | YAGEO | 8 |
0.80 >1000 шт. 0.16 |
|||
| RC0402FR-078K2L |
|
Резистор 1/16W 1% 0402 8.2 kОм | YAGEO |
|
|
|||
| RC0603FR-0751KL | YAGEO | 1 913 885 |
0.65 >1000 шт. 0.13 |
|||||
| RC0603FR-0751KL |
|
|
||||||
| RC0603FR-0751KL | YAGEO | 10 908 |
|
|||||
| TR3B227M004C0500 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 220 мкФ 4 В | VISHAY |
|
|
|||
| TR3B227M004C0500 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 220 мкФ 4 В | Vishay/Sprague |
|
|
|||
| TR3B227M004C0500 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 220 мкФ 4 В |
|
|
