| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
DB-9F (DS1033-09F) |
|
|
ZHENQIN
|
|
|
|
|
|
|
DB-9F (DS1033-09F) |
|
|
CONNFLY
|
|
|
|
 |
 |
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
64
|
93.85
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
|
3
|
109.20
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TDA7267A |
|
DIP16
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA7267A |
|
DIP16
|
|
10
|
198.00
|
|
|
|
|
TDA7267A |
|
DIP16
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA7267A |
|
DIP16
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA7267A |
|
DIP16
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TDA7267A |
|
DIP16
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
|
810
|
26.95
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
БРЯНСК
|
2 187
|
32.00
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
