| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1.5KE130CARL4 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1.5KE130CARL4 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
 |
 |
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
|
|
182.40
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
GS1G |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
GS1G |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
GS1G |
|
|
DC COMPONENTS
|
535 620
|
2.05
|
|
|
|
|
GS1G |
|
|
|
12 080
|
1.36
|
|
|
|
|
GS1G |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
GS1G |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
GS1G |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
GS1G |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
GS1G |
|
|
YT
|
|
|
|
|
|
|
GS1G |
|
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
GS1G |
|
|
YANGJIE
|
20 000
|
1.31
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
|
4
|
340.00
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
UCC2894DR |
|
|
|
|
292.00
|
|
|
|
|
UCC2894DR |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
Версия для печати
