6Ж1П (200Г)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К155ЛД1			364	45.29
К155ЛД1		МИНСК
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА		11 184	3.72
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	ТОМИЛИНО
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	RUS
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	СЗТП
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	РОССИЯ
КН104А				115.20
КН104А		RUS
КН104А		СТАРТ	800	14.84
КР514ИД2	Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...		96	45.29
КР514ИД2	Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...	ХЕРСОН
КР514ИД2	Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...	ДНЕПР
КР514ИД2	Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...	RUS
КР514ИД2	Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...	ПО "ДНЕПР"	1	82.66
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		339	27.90
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	1 732	33.57
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 586	33.48
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	1988