BGA616H6327XTSA1

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LM3671MF-1.2		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM3671MF-1.2		NS
LM3671MF-1.2				321.44
LM3671MF-1.2		TEXAS INSTRUMENTS
LM3671MF-1.2		TEXAS
LM3671MF-3.3		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM3671MF-3.3			1	172.80
LM3671MF-3.3		NSC
LM3671MF-3.3		США
LM3671MF-3.3		СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
LM3671MF-3.3			1	172.80
LM3671MF-3.3		TEXAS
LM3671MF-3.3		TEXAS INSTRUMENTS
LM3671MF-3.3		1
MCP1700T-2502E/TT		MICRO CHIP
MCP1700T-2502E/TT		Microchip Technology
MCP1700T-2502E/TT
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			72.00
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА		250	7.53
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	СВЕТЛАНА
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	МИНСК	8 527	6.00
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	ИНТЕГРАЛ	266	17.85