FYQ-5641AHR-21

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FYQ-5641AHR-21 (FORYARD)	5 920	72.55

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LM386N-1/NOPB		NSC
LM386N-1/NOPB		TEXAS
LM386N-1/NOPB		TEXAS INSTRUMEN
LM386N-1/NOPB		TEXAS INSTRUMENTS
LM386N-1/NOPB
MC3361	ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	SAMSUNG	40	78.86
MC3361	ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	ON SEMICONDUCTOR
MC3361	ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16		3	98.28
MC3361	ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	MOTOROLA
MC3361	ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	1
MC3361	ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	4-7 НЕДЕЛЬ	304
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	NEC
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	FAIR
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	PHILIPS
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	SIGNETICS
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMENTS	15	18.76
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	FAIRCHILD
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMEN
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C			39.52
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	4-7 НЕДЕЛЬ	466
STRA6159M		SANKEN
STRA6159M
STRA6159M		4-7 НЕДЕЛЬ	132
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		359	12.88
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	540	12.49
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	СВЕТЛАНА
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	РИГА
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	6 916	12.72
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ПРОХЛАДНЫЙ
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	АЛЕКСАНДРОВ	1 880	8.48
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	8	4.80
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1728
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	2400
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	2884
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	4344
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	10