Si4490DY
N-channel 200-v (d-s) mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.85A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Power - Max | 1.56W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si4490DY (MOSFET) N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IN74AC74D | IK SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
IN74AC74D | 1 048 | 54.00 | |||||
|
|
IN74AC74D | ИНТЕГРАЛ |
|
|
||||
|
|
IN74AC74D | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
||||
| MC33171DG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC33171DG |
|
64.28 | ||||||
| MC33171DG | ONS |
|
|
|||||
| MC33171DG | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||||
|
|
T81-A 90X |
|
452.28 | |||||
| T83A350X (B88069X8690) | 4 056 | 41.66 | ||||||
| К449КП1ВР | 1 334 | 260.40 | ||||||
| К449КП1ВР | ПРОТОН | 344 | 196.31 | |||||
| К449КП1ВР | ИЗЛУЧАТЕЛЬ |
|
|
|||||
| К449КП1ВР | ПРОТОН |
|
|
|||||
| К449КП1ВР | 500 |
|
|
|||||
| К449КП1ВР | 800 |
|
|
