IRFS3107PbF
Транзистор полевой N-канальный (75V, 195A, 370W, 0.003R)
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 140A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 195A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9370pF @ 50V |
| Power - Max | 370W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFS3107PbF (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
Производитель:
|
