IRFS3006PBF


Транзистор МОП N-канальный (100V, 190A, 380W)

Купить IRFS3006PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFS3006PBF
Версия для печати

Технические характеристики IRFS3006PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5 mOhm @ 170A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C195A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds8970pF @ 50V
Power - Max375W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFS3006PbF (MOSFET)

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFS3006PBF datasheet
361.1 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход