IRFHM831TR2PBF
|
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 12A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1050pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-VQFN Exposed Pad |
| Корпус | PQFN (3x3) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3-233-1, РАЗЪЕМ ПИТАНИЯ 5.5X2.1ММ ГН ПЛАСТИК НА КОРПУС С ГАЙКОЙ МЕТЛ | КИТАЙ |
|
|
|||||
 |
 |
FDS8884 |
|
N-channel powertrench mosfet | FAIRCHILD SEMICONDUCTORS |
|
|
|
|
|
|
FDS8884 |
|
N-channel powertrench mosfet | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FDS8884 |
|
N-channel powertrench mosfet | FAIRCHILD | 537 |
|
|
|
|
|
FDS8884 |
|
N-channel powertrench mosfet | FSC1 |
|
|
|
|
|
|
FDS8884 |
|
N-channel powertrench mosfet | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FDS8884 |
|
N-channel powertrench mosfet |
|
|
||
|
|
|
FDS8884 |
|
N-channel powertrench mosfet | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
FDS8884 |
|
N-channel powertrench mosfet |
|
|
||
|
|
|
FDS8884 |
|
N-channel powertrench mosfet | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDS8884 |
|
N-channel powertrench mosfet | FSC |
|
|
|
|
|
|
FDS8884 |
|
N-channel powertrench mosfet | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDS8884 |
|
N-channel powertrench mosfet | ONS |
|
|
|
| IRFHM8329TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRFHM8329TRPBF | INFINEON |
|
|
|||||
| ДИХЛОРЭТАН 500 МЛ |
|
|
||||||
| ПАСТА ТЕПЛОПРОВОДНАЯ КПТ-8 10ГР |
|
|
||||||
| ПАСТА ТЕПЛОПРОВОДНАЯ КПТ-8 10ГР | CONNECTR |
|
|
