IRF7493PBF


Купить IRF7493PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF7493PBF
Версия для печати

Технические характеристики IRF7493PBF

Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 5.6A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs53nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1510pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    IR11672AS     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IR11672AS       Заказ радиодеталей 169.60 
    IR11672AS     INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF7494PBF N-канальный Полевой транзистор 150V 5,2A 3,0W 0,044R   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF7494PBF N-канальный Полевой транзистор 150V 5,2A 3,0W 0,044R   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF7494PBF N-канальный Полевой транзистор 150V 5,2A 3,0W 0,044R   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF7853PBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 8.3A 2.5W, 0.018R)   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF7853PBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 8.3A 2.5W, 0.018R)   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF7853PBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 8.3A 2.5W, 0.018R)     Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход