|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1206 180 ОМ 5% |
|
|
VENKEL
|
|
|
|
|
|
1206 180 ОМ 5% |
|
|
VENKEL CORP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
3 144
|
2.00
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
30 667
|
2.61
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
21 592
|
2.88
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
414
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
31 289
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
52 846
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.79
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
29 934
|
1.04
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
6.89
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
295 220
|
1.30
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
14 400
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
|
|
7.16
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
SGS
|
|
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
IRFP2907PBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V 209A 470W 0,0045R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP2907PBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V 209A 470W 0,0045R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2
|
|
|
|
|
IRFP2907PBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V 209A 470W 0,0045R
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP2907PBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V 209A 470W 0,0045R
|
|
|
|
|
|
|
IRFP2907PBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V 209A 470W 0,0045R
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SDR0805-331KL |
|
Индуктивность 330мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
BOURNS
|
1
|
52.43
|
|
|
|
SDR0805-331KL |
|
Индуктивность 330мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
|
|
|
|
|
|
SDR0805-331KL |
|
Индуктивность 330мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SDR0805-331KL |
|
Индуктивность 330мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
BOURNS
|
|
|
|