IRLL024Z
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLL024Z (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EFD25 CLIP СКОБА | SHAAN |
|
|
|||||
| EFD25 CLIP СКОБА |
|
11.32 | ||||||
| EFD25 CLIP СКОБА | SHINHOM |
|
|
|||||
| EFD25 CLIP СКОБА | КИТАЙ |
|
|
|||||
| EFD25 P3 СЕРД. |
|
62.80 | ||||||
| EFD25 P3 СЕРД. | SHINHOM |
|
|
|||||
| EFD25 P3 СЕРД. | КИТАЙ |
|
|
|||||
| EFD25 КАРКАС E-035 |
|
62.80 | ||||||
| EFD25 КАРКАС E-035 | EPCOS |
|
|
|||||
| EFD25 КАРКАС E-035 | SHINHOM |
|
|
|||||
| EFD25 КАРКАС E-035 | ЛЭПКОС, СПБ |
|
|
|||||
| EFD25 КАРКАС E-035 | ЛЭПКОС |
|
|
|||||
 |
IRL530 | VISHAY |
|
|
||||
|
|
IRL530 |
|
|
|||||
|
|
IRL530 | Vishay/Siliconix |
|
|
