|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 260A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 mOhm @ 60A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 86nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 8420pF @ 15V |
Power - Max | 230W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CERCAP 4.7/10V 0805 KX5R | Керамический конденсатор 4.7 мкФ 10 В | YAGEO | ||||||
CERCAP 4.7/16V 0805 ZY5V | Керамический конденсатор 4.7 мкФ 16 В | YAGEO | ||||||
ELP25В-22000МКФ30X40 | HITANO | |||||||
ELP63В-4700МКФ30X35 | HITANO | |||||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ONS | 8 000 | 13.84 | ||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 1 200 | 12.00 | |||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ONSEMICONDUCTOR | ||||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 0.00 |
|