IRL2910

Версия для печати

Технические характеристики IRL2910

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 29A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	55A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	140nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3700pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL2910 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRL2910 datasheet
129.7 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IN74AC251N		IK SEMICONDUCTOR
IN74AC251N		ИНТЕГРАЛ
IN74AC251N				1 459.72
IN74AC251N		????????
Д242Б	Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до ...		152	124.22
Д242Б	Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСК
Д242Б	Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	П/П 2
Д242Б	Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	RUS
Д242Б	Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	СЗТП	8	265.20
Д242Б	Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	РОССИЯ
Д247			1 032	158.10
Д247		САРАНСК
Д247		П/П 2
Д247		СЗТП	8	229.50
Д247		RUS
Д247		РОССИЯ
РМУГ РС4.523.402-01
ТЕПЛОПРОВОДНАЯ ПАСТА КПТ-8, ШПРИЦ 10 ГР				56.80