|
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 23A |
Power - Max | 100W |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRG4BC30UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor =12a)
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR2131 | Драйверы верхнего x3 и нижнего x3 ключей. Тс =700мс, Uсм=600В, Uвых=10/20В | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IR2131 | Драйверы верхнего x3 и нижнего x3 ключей. Тс =700мс, Uсм=600В, Uвых=10/20В | 1 339.44 | ||||||
MC33153DG | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MC33153DG | FREESCALE | |||||||
MC33153DG | ONS | |||||||
MC33153DG | 126.64 | |||||||
MC33153DG | ФИЛИППИНЫ | |||||||
SG6842JLDZ | SGC | |||||||
SG6842JLDZ | ||||||||
SSS10N60B | Полевой транзистор | FAIR | ||||||
SSS10N60B | Полевой транзистор | 104.68 | ||||||
SSS10N60B | Полевой транзистор | ONS-FAIR | ||||||
TIP41C NPN 100V 6A 65W H21=15…75 | MEV |
|