IRFS3207

Версия для печати

Технические характеристики IRFS3207

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7600pF @ 50V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFS3207 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFS3207 datasheet
378.6 Кб