|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 75A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9400pF @ 50V |
Power - Max | 340W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
Корпус | TO-247AC |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
27C256-12/SO | MICRO CHIP | |||||||
27C256-12/SO | 1 052.00 | |||||||
2SD1816 | Биполярный транзистор | SANYO | ||||||
2SD1816 | Биполярный транзистор | 31.32 | ||||||
2SD1816 | Биполярный транзистор | КИТАЙ | ||||||
AT89C51SND1C-ROTIL | MC 8Bit 64K-Flash UART VQFP44 | ATMEL | ||||||
BUP314 | Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | INFINEON | ||||||
BUP314 | Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | SIEMENS | ||||||
BUP314 | Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | 641.12 | ||||||
BUP314 | Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | INFINEON TECH | ||||||
IRFP2907 | Транзистор полевой N-MOS 75V, 177A, 330W | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFP2907 | Транзистор полевой N-MOS 75V, 177A, 330W | 484.00 | ||||||
IRFP2907 | Транзистор полевой N-MOS 75V, 177A, 330W | МЕКСИКА | ||||||
IRFP2907 | Транзистор полевой N-MOS 75V, 177A, 330W | INFINEON |
|